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M82300-8/UM PECVD镀膜设备
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发布时间：2022年10月11日
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产品型号：M82300-8/UM
产品简介：PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备，是利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。M82300-8/UM型PECVD设备主要用于TOPCON和PERC电池正背面氮化硅减反射钝化薄膜的生长，也可以用于PERC电池背面氧化铝薄膜的生长。
应用领域：新能源-光伏产业链生产企业
核心参数：成膜种类：氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化铝（选配)
整机尺寸：9935MM(L)×2460MM(W)×4340MM(H)(不含真空泵)
膜厚范围：氮化硅:70-150NM
氮化硅+氧化铝：8-20NM(氧化铝），80-150NM(氮化硅）
典型装片量：760片/舟(M10)、612片/舟(M12)、486片/舟(M12)，432片/舟(230)
成膜均匀性：氮化硅：片内≤4%、片间≤4%、批间≤3%；
氮化硅+氧化铝：片内≤6%、片间≤6%、批间≤5%
典型产能：6060片/小时/台(M10硅片，氮化硅，6管/台)
4600片/小时/台(M12硅片，氮化硅，6管/台)
5100片/小时/台(M10硅片，氮化硅+氧化铝，6管/台)
3880片/小时/台(M12硅片，氮化硅+氧化铝，6管/台)
石英管直径：540MM(外径)/528MM（内径)
温度控制范围：260-650℃
恒温区长度及精度：≤±1℃/2600MM(450℃时)
工作压力：220±40PA(VAT阀控压)
联系人：黄凌飞 联系方式：18684881206
