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M5311-1/UM型 LPCVD设备
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发布时间：2022年10月11日
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产品型号：M5311-1/UM型
产品简介：低压化学气相淀积设备（LPCVD），是在20 - 300PA 左右的反应压力下，通过气体的化学反应生成固体反应物，并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。由于其制备的薄膜具有质量优异、均匀性好、产量高的特点，被广泛应用于微电子等行业中氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的制备。适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备，具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。相比较传统卧式炉管设备，立式扩散设备具备：高效稳定，高精度温度控制性能，良好工艺效果和低能耗等技术优势。
应用领域：新能源-光伏产业链生产企业
核心参数：工艺种类：SiOx、Poly—Si、原位掺杂
可选管数：6管/台、12管/台
石英管内径：≥350MM
典型装片量：182硅片:1400片/舟
210硅片:1200片/舟
温度速率：最大升温速率为20℃/min
最大降温速率为3℃/min (800℃)
遂穿层均匀性：片内≤±0.2nm、片间≤±0.2nm、批间≤±0.1nm
本征层均匀性：片内≤5%、片间≤4%、批间≤3%
原位掺杂均匀性：片内≤5%、片间≤5%、批间≤4%
温度控制范围：400℃- 700℃
恒温区长度及精度：≤±1℃/170omm (500℃-700℃)
工作压力：20 - 300Mbar(闭环控制）
联系人：黄凌飞 联系方式：18684881206
