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PEOCVD非晶硅镀膜设备
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发布时间：2022年10月11日
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产品型号：M82300-8/UM型
产品简介：PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备，是利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。M82300-8/UM型PECVD非晶硅镀膜设备可用于隧穿氧化层、本征Poly-Si、原位掺杂Poly-Si工艺薄膜一次原位完成。
应用领域：新能源-光伏产业链生产企业
核心参数：成膜种类：隧穿氧化层、本征poly-Si、原位掺杂poly-Si
整机尺寸：9935mm(L)×2460mm(W)x4340mm(H)(不含真空泵)
石英管直径：540MM(外径）/528MM(内径)
典型装片量：726片/舟(M6)，640片/舟(M10)，486片/舟(M12)，432片/舟(230)
典型产能：5100片/小时/台(M10硅片，6管/台)；3880片/小时/台(M12硅片，6管/台)
温度控制范围：400℃ - 550℃
成膜膜厚范围及均匀性：隧穿氧化层，1-2nm，片内≤±0.5nm，片间≤±0.5nm，批间≤±0.3nm
本征Poly-si，120nm, 片内≤5%，片间≤5%，批间≤3%
原位掺杂Poly-Si，120nm, 片内≤5%，片间≤5%，批间≤3%
恒温区长度及精度：≤±1℃/2600mm (450℃时)
工作压力：220±40Pa(VAT阀控压)
联系人：黄凌飞 联系方式：18684881206
