异质结PECVD设备(含自动化)

来源:     作者:石小川     发布时间:2022年10月11日     浏览次数:         

产品型号:RSC-6000型

产品简介:设备采用射频等离子体增加化学气相沉积技术,在制绒清洗后的硅片表面,沉积5-10NM的非晶硅钝化层。非晶硅钝化层包括本征非晶硅层(I层)、掺杂非晶硅层(P层)和掺杂非晶硅层(N层),且具备切换成甚高频电源进行掺杂微晶硅层(P层)和掺杂微晶硅层(N层)的沉积;配备等离子体清洗系统,可在腔内实现腔体和板框的自动清洗功能,维护保养方便;自动上下料系统具备上料自动外观(破片、缺口、崩边)检测及下料PL检测功能,整机良率及稳定性好。

应用领域:新能源-光伏产业链生产企业

核心参数:工艺种类:RCS-12000 

                    成膜种类:本征非晶硅/掺杂非晶硅/(掺杂微晶硅)
                 载板规格:210半片,120片/批,(可兼容23x~15x尺寸硅片)
                 碎片率:≤0.08%(含自动化)
                 工艺温度:150~250℃(温度不均匀性≤5℃)
                 膜厚均匀性:4%(片内)、8%(片间)、5%(批间)
                 反射功率:反射功率稳定时间≤0.5s
                 载板清洗时间:<2h/天
                 不良率:≤0.5%(机械部分造成不良)
                 硅片传输形式:Work Beam(不可对硅片膜面造成损伤、污染)
                 产能:12000pcs/h
                 Uptime:≥90%(设备清洗恢复时间算作非开机时间)
                 放片精度:≤±0.5mm(硅片放入载板精度)
                 气氛环境:局部采用氮气或FFU微正压形成微正压
                 定位方式:视觉系统+机械对位(硅片与载板定位)

联系人:黄凌飞        联系方式:18684881206

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