吸杂炉
产品简介:扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。吸杂炉通过高温把磷扩散到硅表面,对硅体内部金属起到吸杂的作用。系统具备自动监测及自动控制功能,亦可通过人工控制,完成整个的工艺处理。
应用领域:新能源-光伏产业链生产企业
核心参数:工艺种类:磷扩散
可选管数:5管/台、6管/台、10管/台、12管/台
典型装片量:182半片硅片:≥4400片/舟(顺气流),
210硅片:≥4400片/舟(顺气流);
182半片硅片:≥3200片/舟(常规方形).
210硅片:≥3200片/舟(常规方形);
温度控制范围:600℃-1100℃
工作压力:50~1000MBAR(闭环控制)
恒温区长度及精度:≤+0.5℃/2600mm (800℃-1100°C)
≤±1℃/2600mm (600℃-799℃)
方阻均匀性:片内≤5%、片间≤4%、批间≤4% (75~150Ω/sq)
片内≤6%、片间≤5%、批间≤4% (150~180Ω/sq)
温度速率:最大升温速率为20℃/min,
最大降温速率为8~9℃/min(快速冷却功能)
联系人:黄凌飞 联系方式:18684881206