.png)
中束流离子注入机
来源：
发布时间：2022年10月11日
浏览次数：
产品型号：CI P900HP
产品简介：工艺能力覆盖至28nm，具备升级14nm及更先进制程能力。可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤，如阈值电压调整注入，沟道阻隔注入、晕注入、袋注入等工艺。整机完全适应大生产制造，具备自优化及自适应控制功能。双边对称扫描方式，束流均匀性高。光路结构采用三磁铁结构，离子束纯度高，能量范围大，剂量范围宽，自动引束时间短，生产效率高。
应用领域：LOGIC,DRAM,3D NAND,NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...
核心参数：离子能量（Energy）：2-900 keV；
晶片尺寸（Wafer Size）:12 inch；
注入剂量均匀性（Uniformity）：1σ≤ 0.5%；
能量精度（Energy Accuracy）：±1%；
角度精度（Angle Accuracy）：±0.1°；
剂量注入范围（Dose Range）：2E11 - 1E16 ions/cm2
联系人：胡东京 联系方式：18611091830
