高能离子注入机
产品型号:CI E8000
产品简介:设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺,设备不仅具有稳定性高、注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点,而且覆盖范围十分广泛。主要特点“高性能长寿命离子源;束流能量高,能量范围大,能量纯度高,注入流强大,束流传输效率高,单电荷离子≥2MeV等“
应用领域:LOGIC,DRAM,3D NAND,NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...
核心参数:离子能量(Energy):20 keV-8 MeV
束流强度( Beam Current):B+:1MeV,≥1000μA;
剂量注入范围(Dose Range):1E11 - 5E15 ions/cm2;
均匀性与重复性(Uniformity and Repeatability):
剂量:1E11 - 5E11 ions/cm2,1σ≤ 1%;
剂量:5E11 - 5E15 ions/cm2,1σ≤ 0.5%
联系人:胡东京 联系方式:18611091830