.png)
高能离子注入机
来源：
发布时间：2022年10月11日
浏览次数：
产品型号：CI E8000
产品简介：设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺，设备不仅具有稳定性高、注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点，而且覆盖范围十分广泛。主要特点“高性能长寿命离子源；束流能量高，能量范围大，能量纯度高，注入流强大，束流传输效率高，单电荷离子≥2MeV等“
应用领域：LOGIC,DRAM,3D NAND,NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...
核心参数：离子能量（Energy）：20 keV-8 MeV
束流强度（ Beam Current）：B+：1MeV，≥1000μA；
剂量注入范围（Dose Range）：1E11 - 5E15 ions/cm2；
均匀性与重复性（Uniformity and Repeatability）：
剂量：1E11 - 5E11 ions/cm2，1σ≤ 1%；
剂量：5E11 - 5E15 ions/cm2，1σ≤ 0.5%
联系人：胡东京 联系方式：18611091830
