高能离子注入机

来源:     作者:石小川     发布时间:2022年10月11日     浏览次数:         

产品型号:CI E8000

产品简介:设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺,设备不仅具有稳定性高、注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点,而且覆盖范围十分广泛。主要特点“高性能长寿命离子源;束流能量高,能量范围大,能量纯度高,注入流强大,束流传输效率高,单电荷离子≥2MeV等“

应用领域:LOGIC,DRAM,3D NAND,NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...

核心参数:离子能量(Energy):20 keV-8 MeV

                 束流强度( Beam Current):B+:1MeV,≥1000μA;
                 剂量注入范围(Dose Range):1E11 - 5E15 ions/cm2;
                 均匀性与重复性(Uniformity and Repeatability):
                          剂量:1E11 - 5E11 ions/cm2,1σ≤ 1%;
                          剂量:5E11 - 5E15 ions/cm2,1σ≤ 0.5%

联系人:胡东京        联系方式:18611091830

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