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立式氧化炉
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发布时间：2022年10月12日
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产品型号：M51200-1/UM
产品简介：高洁净度；高精度；高安全性
应用领域：用于集成电路生产过程中的栅氧生长、STI隔离等前段工艺制程前的初始氧化层（start oxide）、 屏蔽氧化层（screen oxide）、衬垫氧化层（pad oxide）、牺牲氧化层（sacrificial oxide）等多种 氧化介质层的制备；适用工艺有氧化、退火、推阱、合金、PI固化。
核心参数：1、晶片尺寸：8”（兼容6 "）;
2、典型工艺温度：
800°C~1150°C （氧化、推阱、退火）;
800°C~1250°C （高温氧化）；
400°C~800°C （合金）；
3、恒温区长度：≥860mm。
联系人：李富石 联系方式：15973176321
