立式氧化炉
产品型号:M51200-1/UM
产品简介:高洁净度;高精度;高安全性
应用领域:用于集成电路生产过程中的栅氧生长、STI隔离等前段工艺制程前的初始氧化层(start oxide)、 屏蔽氧化层(screen oxide)、衬垫氧化层(pad oxide)、牺牲氧化层(sacrificial oxide)等多种 氧化介质层的制备;适用工艺有氧化、退火、推阱、合金、PI固化。
核心参数:1、晶片尺寸:8”(兼容6 ");
2、典型工艺温度:
800°C~1150°C (氧化、推阱、退火);
800°C~1250°C (高温氧化);
400°C~800°C (合金);
3、恒温区长度:≥860mm。
联系人:李富石 联系方式:15973176321