高温高能离子注入机
产品型号:CI-S0400ASH06BF-01
产品简介:CI-S0400ASH06BF-01主要面向SiC晶圆的热注入工艺要求。该型号设备是我公司为满足SiC热注入迭代开发的第三代设备,相对前两代设备,其离子源使用寿命、设备稳定性等都有了极大的提升。可满足SiC各型器件的注入工艺求
应用领域:可满足SiC各型器件的注入工艺求
核心参数:晶片尺寸(Wafer Size):6 inch,4 inch;
能量范围(EnergyRange):30-400keV(单电荷) 30-400keV(single charge) ;
注入元素(Ion Species):Ai ,B,N,P;
晶片温度(Process Wafer temperature):RT-600℃
联系人:胡东京 联系方式:18611091830