高温高能离子注入机

来源:     作者:石小川     发布时间:2022年10月11日     浏览次数:         

产品型号:CI-S0400ASH06BF-01

产品简介:CI-S0400ASH06BF-01主要面向SiC晶圆的热注入工艺要求。该型号设备是我公司为满足SiC热注入迭代开发的第三代设备,相对前两代设备,其离子源使用寿命、设备稳定性等都有了极大的提升。可满足SiC各型器件的注入工艺求

应用领域:可满足SiC各型器件的注入工艺求

核心参数:晶片尺寸(Wafer Size):6 inch,4 inch;

                 能量范围(EnergyRange):30-400keV(单电荷)   30-400keV(single charge) ;
                 注入元素(Ion Species):Ai ,B,N,P;
                 晶片温度(Process Wafer temperature):RT-600℃

联系人:胡东京        联系方式:18611091830

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