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高温高能离子注入机
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发布时间：2022年10月11日
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产品型号：CI-S0400ASH06BF-01
产品简介：CI-S0400ASH06BF-01主要面向SiC晶圆的热注入工艺要求。该型号设备是我公司为满足SiC热注入迭代开发的第三代设备，相对前两代设备，其离子源使用寿命、设备稳定性等都有了极大的提升。可满足SiC各型器件的注入工艺求
应用领域：可满足SiC各型器件的注入工艺求
核心参数：晶片尺寸（Wafer Size）:6 inch，4 inch；
能量范围（EnergyRange）：30-400keV(单电荷) 30-400keV(single charge) ；
注入元素（Ion Species）：Ai ,B,N,P；
晶片温度（Process Wafer temperature）:RT-600℃
联系人：胡东京 联系方式：18611091830
