SiC外延设备

来源:     作者:石小川     发布时间:2022年10月12日     浏览次数:         

产品型号:M8517-1/UM

产品简介:设备特点:1、超快速高质量外延生长能力;2、优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平;3、满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求

应用领域:用于第三代半导体4H-SiC材料的同质外延生长

核心参数:1、晶片尺寸:4″、6″;

                 2、最高温度:1700℃;
                 3、背景载流子浓度:<1×10E14cm-3
                 4、最高生长速率:>90μm/h
                 5、控温精度:±0.1℃;
                 6、厚度均匀性:0.3%~~1.5%;
                 7、掺杂浓度均匀性:1.5%~5%;
                 8、表面形貌缺陷密度:<0.5个/c m2;

联系人:李富石        联系方式:15973176321

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