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SiC外延设备
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发布时间：2022年10月12日
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产品型号：M8517-1/UM
产品简介：设备特点：1、超快速高质量外延生长能力;2、优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平;3、满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求
应用领域：用于第三代半导体4H-SiC材料的同质外延生长
核心参数：1、晶片尺寸：4″、6″;
2、最高温度：1700℃;
3、背景载流子浓度：＜1×10E14cm-3
4、最高生长速率：＞90μm/h
5、控温精度：±0.1℃;
6、厚度均匀性：0.3%~～1.5%;
7、掺杂浓度均匀性：1.5%～5%;
8、表面形貌缺陷密度：＜0.5个/c
m2;
联系人：李富石 联系方式：15973176321
