SiC外延设备
产品型号:M8517-1/UM
产品简介:设备特点:1、超快速高质量外延生长能力;2、优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平;3、满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求
应用领域:用于第三代半导体4H-SiC材料的同质外延生长
核心参数:1、晶片尺寸:4″、6″;
2、最高温度:1700℃;
3、背景载流子浓度:<1×10E14cm-3
4、最高生长速率:>90μm/h
5、控温精度:±0.1℃;
6、厚度均匀性:0.3%~~1.5%;
7、掺杂浓度均匀性:1.5%~5%;
8、表面形貌缺陷密度:<0.5个/c
m2;
联系人:李富石 联系方式:15973176321