.png)
SiC高温氧化炉
来源：
发布时间：2022年10月12日
浏览次数：
产品型号：M5014-3/UM
产品简介：设备特点：1、双层真空密封结构，温度和气流均匀性佳；高洁净热场材料体系避免高温金属和颗粒沾污；2、可实现低压、干氧、NO等多种气氛处理工艺；3、具备在线金属离子清洗功能。
应用领域：用于SiC MOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高 通道迁移率的栅氧生长工艺，也可用于其他高温氧 化工艺。
核心参数：1、晶片尺寸：6"（兼容4"）;
2、最大载片量：50片/批；
3、工艺温度：800°C~1500°C;
4、恒温区长度：250mm;
5、控温精度：≤±1°C;
6、温度均匀性：≤±5°C;
7、工艺气体：Ar、 N
2、H
2、O
2、NO、N
2O等;
8、工艺压力：100mbar~1个大气压；
9、片内/片间膜厚均匀性：±2.5%。
联系人：李富石 联系方式：15973176321
