SiC高温氧化炉
产品型号:M5014-3/UM
产品简介:设备特点:1、双层真空密封结构,温度和气流均匀性佳;高洁净热场材料体系避免高温金属和颗粒沾污;2、可实现低压、干氧、NO等多种气氛处理工艺;3、具备在线金属离子清洗功能。
应用领域:用于SiC MOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高 通道迁移率的栅氧生长工艺,也可用于其他高温氧 化工艺。
核心参数:1、晶片尺寸:6"(兼容4");
2、最大载片量:50片/批;
3、工艺温度:800°C~1500°C;
4、恒温区长度:250mm;
5、控温精度:≤±1°C;
6、温度均匀性:≤±5°C;
7、工艺气体:Ar、 N
2、H
2、O
2、NO、N
2O等;
8、工艺压力:100mbar~1个大气压;
9、片内/片间膜厚均匀性:±2.5%。
联系人:李富石 联系方式:15973176321