碳化硅单晶生长炉

来源:     作者:石小川     发布时间:2022年10月13日     浏览次数:         

产品型号:TDS系列

产品简介:已稳定生长出直径≥150mm,厚度≥ 25mm碳化硅晶体

应用领域:射频器件、电力电子器件等领域

核心参数:工作温度:1000℃~2500℃(光学测温)

                  极限真空度:≤5×10-6mbar
                  系统真空检漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.l/S
                  极限真空下,12h保压,压升:≤4Pa

联系人:王毅        联系方式:13603568582

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