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碳化硅单晶生长炉

来源：     作者：石小川     发布时间：2022年10月13日     浏览次数：         

产品型号：TDS系列

产品简介：已稳定生长出直径≥150mm，厚度≥ 25mm碳化硅晶体

应用领域：射频器件、电力电子器件等领域

核心参数：工作温度：1000℃～2500℃(光学测温)

                  极限真空度：≤5×10-6mbar
                  系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S
                  极限真空下,12h保压,压升：≤4Pa

联系人：王毅        联系方式：13603568582

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